英特爾宣布已實現3D封裝技術的大規模生產

英特爾宣布已實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產，其中包括英特爾突破性的3D封裝技術Foveros，該技術為多種芯片的組合提供了靈活的選擇，帶來更佳的功耗、性能和成本優化。

這一技術是在英特爾最新完成升級的美國新墨西哥州Fab 9投產的。英特爾公司執行副總裁兼首席全球運營官Keyvan Esfarjani表示：“先進封裝技術讓英特爾脫穎而出，幫助我們的客戶在芯片產品的性能、尺寸，以及設計應用的靈活性方面獲得競爭優勢。”

這一里程碑式的進展還將推動英特爾下一階段的先進封裝技術創新。隨著整個半導體行業進入在單個封裝中集成多個“芯粒”（chiplets）的異構時代，英特爾的Foveros和EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等先進封裝技術提供了速度更快、成本更低的路徑，以實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管，并在2030年后繼續推進摩爾定律。

英特爾的3D先進封裝技術Foveros是業界領先的解決方案，在處理器的制造過程中，能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。此外，Foveros讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計算芯片，優化成本和能效。

英特爾將繼續致力于推進技術創新，擴大業務規模，滿足不斷增長的半導體需求。